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真空磁控濺射靶基距與氣壓 的關係
來源: | 發布日期:2023-08-09

真空磁控濺射 是在真空爐體內,采用物理氣相沉積的原理,大氣壓大電流的放電技術,使靶材蒸發物與氣體發生電離,再利用電電場的

加速作用,在產品表麵形成薄膜,在這個過程當中有一個詞靶基距(就是真空爐體內靶材與基材之間的距離)今天香蕉视频黄在线观看一起來了解一下靶基距與氣壓的關係,這是香蕉视频黄在线观看真空香蕉精品视频廠家研發團隊經過一係列的測試後得出的結果:

真空磁控濺射

第一,靶基距80,120mm下不同氣壓,80mm 0.1和1Pa極端氣壓下,濺射原子到達基材邊緣和中間的沉積原子數無明顯變化;第二,靶基距一定,隨著氣壓增大,沉積薄膜的無變化;這說明氣壓增大時,濺射原子與Ar原子碰撞加劇,從而散射角度增大並沒有引起沉積原子數目發生變化;

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【本文標簽】 真空磁控濺射

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